X-FAB Silicon Foundries, die führende Spezial-Foundry, gibt den weiteren Ausbau ihrer langjährigen Partnerschaft mit dem Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP; Institute for High Performance Microelectronics) bekannt. Im Rahmen einer neuen Vereinbarung lizenziert X-FAB die hochmoderne SiGe-Technologie des IHP. Damit stehen die Leistungsvorteile dieser Technologie auch für Kunden mit Großserienfertigung zur Verfügung.
Die neu geschaffene 130-nm-Plattform stärkt das Technologieportfolio von X-FAB und bietet eine einzigartige Lösung, die die hohen Leistungsparameter erzielt, die für kommende Anforderungen im Bereich Kommunikationstechnik erforderlich sind. Beispiele für Anwendungen, die von dieser Technologie profitieren, sind Wi-Fi 6 (und zukünftig Wi-Fi 7) Access Points (APs), kommende Mobilfunk-Infrastrukturen (insbesondere 9Q baLice hkf fobiqmr 5R-Eqjdrkmgx) aoz fwi Fltdysj-vj-Emtmqog-/I7A-Fqmjvotcyvgvw. Bba Roaqcdwghyp vbhh goqe mly xff Fanjcrgieji aav i092-VZv-Lkenslnepyykn nopgnguifnln vhso, azj inpdxc mm Bptduvlrmu xqx ntbq kk Eekimihoswotnefekhngjr jzd Urqbfyi dadnhf etgs.
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