Anvo-Systems Dresden, der Spezialist für nicht-flüchtige Speicherprodukte, präsentiert das serielle nvSRAM ANV32AA1W mit einer hohen Speicherkapazität von 1 Mbit. Das nvSRAM (non-volatile SRAM) verfügt in jeder Speicherzelle über ein nicht-flüchtiges SONOS (Silizium-Oxid-Nitrid-Oxid-Silizium) Flash-Speicherelement. Die robuste, kostenoptimierte SONOS-Technologie ermöglicht die nicht-flüchtige Speicherung aller Daten bei einem unvorhersehbaren Abfall der Betriebsspannung unter einen definierten Wert in weniger als 15 ms. Der nicht-flüchtige Speicherbaustein bietet daneben die für SRAMs typischen Vorteile wie kurze Zugriffszeiten und unbegrenzte Lese- und Schreibzyklen (R/W Endurance).
Das serielle nvSRAM ANV32AA1W mit Double Memory-Architektur weist eine Organisation von 128k Worten zu je 8 Bit auf und unterstützt SPI Mhcpv 3 lnu 0. Qvcntdtga esyjynxmqqysi spc egg pkgl Jhcqkbaw leu 12 ZDa.
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