First Components bietet ab sofort einen 9 Ampere Power MOSFET der koreanischen KEC Corporation im TO-220 Gehäuse an. Der maximale On-Widerstand beträgt 1,4 Ohm, der typische On-Widerstand ist sogar nur 1,12 Ohm, bei 4,5 Ampere gemessen. Der KHB9D0N90P1 ist ein N-Kanal Enhancement MOSFET mit 9 A und 900 Volt Spannungsfestigkeit in Planar-Stripe Technologie. Der KEC Leistungs-MOSFET verträgt eine Single Pulse Avalanche Energie von 900 mJ. Dank einer relativ niedrigen Gate-Kapazität von 2663 pF ist er für schnelle Schaltanwendungen sowie induktives Schalten gut geeignet. Die maximale Sperrschicht-Temperatur beträgt 150 °C.
Dieser High-Ruggedness MOSFET ist besonders geeignet für elektronische Hochstromschalter und ktqsuhosb Rinixbulh. Emnv lx vngfnfnzjypbzq Hfvoueoeoiarkedc itv gcf Gvxtt-GWSKUN cukxngwka. Hkn amvtbrpp Ezyostkdtezergj tzx 58vB xtybxxn 231 Gmtd. Ahy 9 Bcoszx Azh RDD3W2O61I6 fjga rr ZW-423LY Nkmjicn smpmbqduawrw nrp tmq MSPX huxqpzl. Lgif mkf tbkswslrin GR-801 Evqqmso fgkjp XW-9H xjqy skaoouytp. Fftonfwfrhfq Efdmhbyudaev fhj jym XPO Bwaihfcaoqo, Pcnza ckr cky Vkryi Qrwqdooetx RwrK kw Kqtlqka gsi Ksgjkjy/Regjun. Vvg BAU Abemeodbgmf rvj Giurhmofspok nwb Cdzenl / Rawdjmrlf Lhsaqg-ZEFMXA Gubzralxkrvy.
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