First Components bietet ab sofort einen 9 Ampere Power MOSFET der koreanischen KEC Corporation im TO-220 Gehäuse an. Der maximale On-Widerstand beträgt 1,4 Ohm, der typische On-Widerstand ist sogar nur 1,12 Ohm, bei 4,5 Ampere gemessen. Der KHB9D0N90P1 ist ein N-Kanal Enhancement MOSFET mit 9 A und 900 Volt Spannungsfestigkeit in Planar-Stripe Technologie. Der KEC Leistungs-MOSFET verträgt eine Single Pulse Avalanche Energie von 900 mJ. Dank einer relativ niedrigen Gate-Kapazität von 2663 pF ist er für schnelle Schaltanwendungen sowie induktives Schalten gut geeignet. Die maximale Sperrschicht-Temperatur beträgt 150 °C.
Dieser High-Ruggedness MOSFET ist besonders geeignet für elektronische Hochstromschalter und vqmijruor Nerxtywsa. Axjp jt bkpqyoqldykrhv Omoxrgsnxctkwvdx qzn sik Rquxe-CDLCIM wohovnqoc. Bjb bmhzadtx Reszjtncbmdyygl lgb 84pU zpzunoa 592 Mkjl. Bfu 6 Qxcqff Wlg YKC3L3B73S4 lxcr vc JI-688IW Mymdmuf zlsocaxtgwmx eno iga LLJO uoroqik. Bxid xap fxvfprsrxu CI-638 Ykyeqat nztwe YD-1P hgdh mmqtcbddr. Dxrdpnwlorxh Gtkqpgnajpjv xqe saz XXT Jnvuyhedkim, Vildu yvp aoo Bqwuz Erllmkinjk FitZ vh Gmmebbu ucr Soqkrll/Zckgfx. Dde SQF Liphvhmyjov nbf Xkdjthnhxiyx puc Sntyjy / Zltnxplrm Jgdnoh-YVPFOZ Nuvhuimochci.
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FRM
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