Freescale Semiconductor, der weltweite Marktführer bei HF-Leistungstransistoren, hat heute die branchenweit leistungsstärksten HF-Transistoren im Plastikgehäuse vorgestellt.
Der neue MRFE6VP61K25N wartet mit einer CW-Leistung von mehr als 1250 W auf, während der neue MRFE6VP6600N mehr als 600 W liefert. Beide Produkte besitzen einen 30 Prozent geringeren Wärmewiderstand als vergleichbare Transistoren im Keramikgehäuse.
In Kombination mit der hohen CW-Leistung und den erstklassigen Daten für Wirkungsgrad und Verstärkung ermöglicht dieser geringere Wärmewiderstand aufgrund der besseren Leistungsdaten und eines geringeren Aufwands für die Kühlung eine Senkung der Systemkosten. Die neuen Leistungstransistorprodukte eignen sich ideal für Industrie- und Rundfunkanwendungen wie CO2-Laser, Plasmageneratoren, MRI-Verstärker und Dxrumttnyfwlbynrbmxec oaq iqma tlt Daqgjvhdzyjrty oa LI- uhr EBC-Lgnvzuc.
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Der neue MRFE6VP61K25N wartet mit einer CW-Leistung von mehr als 1250 W auf, während der neue MRFE6VP6600N mehr als 600 W liefert. Beide Produkte besitzen einen 30 Prozent geringeren Wärmewiderstand als vergleichbare Transistoren im Keramikgehäuse.
In Kombination mit der hohen CW-Leistung und den erstklassigen Daten für Wirkungsgrad und Verstärkung ermöglicht dieser geringere Wärmewiderstand aufgrund der besseren Leistungsdaten und eines geringeren Aufwands für die Kühlung eine Senkung der Systemkosten. Die neuen Leistungstransistorprodukte eignen sich ideal für Industrie- und Rundfunkanwendungen wie CO2-Laser, Plasmageneratoren, MRI-Verstärker und Dxrumttnyfwlbynrbmxec oaq iqma tlt Daqgjvhdzyjrty oa LI- uhr EBC-Lgnvzuc.
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