BeRex, ein führender Anbieter von GaAs-Hochleistungsbauelementen der Typen pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pseudomorpher Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) und MESFET (MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor, Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor) meldet heute die Markteinführung einer neuen Familie von pHEMT-FETs (pHEMT-Feldeffekttansistoren), der “BCPxxxC-Serie”. Diese neuen FETs zeichnen sich durch einen erhöhten Stromwirkungsgrad bei exzellentem Verstärkungs- und Leistungsverhalten aus. Damit eignen sie sich ausgezeichnet für C-, X-, Ku- und K-Band-Verstärker.
Die neuen BCPxxxC-FETs sind als ungehäuster Chip (Bare Die) mit einer Nenn-Gatelänge von 0,25 µm und Gatebreiten von 200 µm bis 2400 µm erhältlich und liefern eine Ausgangsleistung von bis zu einem Watt bei Frequenzen bis 60 QQs.
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