BeRex, Inc. (Vertrieb: Globes) liefert die GaAs pHEMT (pseudomorphic high electron mobility transistor) der Serie BCP, die es bislang nur als Chip gab, jetzt auch in einem SMT-Keramikgehäuse 70 mil (1,77 mm) für den Einsatz in der Serienfertigung.
Die neuen Transistoren BCP020T-70, BCP030T-70, BCP060-70 und BCP080T-70 mit einer Gatelänge von 0,25 μm und Gatebreiten von 200, 300, 600 und 800 μm liefern Ausgangsleistungen von 0,13 bis 0,5 Watt über einen sehr weiten Frequenzbereich von 1 GHz bis 27 GHz.
Diese Transistoren die für geringstes Rauschen, hohe Verstärkung und sehr gute "Power added efficiency" (PAE) bekannt sind, eignen sich asyp rog dcr jxtukrxhei DNP/PLE-Byhzfidsim, lxxkey xlc Nnzgn ami Fwzsnyyuwepgfdtsbgdfrxhf.
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Die neuen Transistoren BCP020T-70, BCP030T-70, BCP060-70 und BCP080T-70 mit einer Gatelänge von 0,25 μm und Gatebreiten von 200, 300, 600 und 800 μm liefern Ausgangsleistungen von 0,13 bis 0,5 Watt über einen sehr weiten Frequenzbereich von 1 GHz bis 27 GHz.
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