Distributor Henskes Electronic Components hat ab sofort die Central-Bauteile CMPDM302PH und CMPDM303NH im bewährten SOT-23F-Gehäuse im Portfolio. CMPFM302PH ist ein P-Kanal, CMPDM303NH ein N-Kanal ENHANCEMENT MOSFET. Beide sind in 20V und 30V Varianten erhältlich. Die Kombination von Hochstromeigenschaften, kleinen GATE-Ladungen und geringem "ON" Widerstand eignet sich ideal für energiesensible Applikationen, die hohe DRAIN-Ströme verlangen.
CMPDM303NH
CMPDM303NH zeichnet sich durch folgende Eigenschaften aus: geringer rDSon (=27mOhm @VGS=4,5V), Hochstrom-ID=3,6A sowie kleine GATE-Ladung (Qgs=0,9nC). Anwendungsbereiche des CMPDM303NH sind Ladungs/Leistungs- Schalter, Netzspannungswandler und Motor-Kontrolle. Die Vorteile des Bauteils sind Energieeffizienz und schnelle Schaltgeschwindigkeit (ton=8,7nsec). Lieferbar ist es im SOT-23F-Gehäuse, das neun Prozent niedriger qzh GDZ-23 nmr.
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CMPDM303NH zeichnet sich durch folgende Eigenschaften aus: geringer rDSon (=27mOhm @VGS=4,5V), Hochstrom-ID=3,6A sowie kleine GATE-Ladung (Qgs=0,9nC). Anwendungsbereiche des CMPDM303NH sind Ladungs/Leistungs- Schalter, Netzspannungswandler und Motor-Kontrolle. Die Vorteile des Bauteils sind Energieeffizienz und schnelle Schaltgeschwindigkeit (ton=8,7nsec). Lieferbar ist es im SOT-23F-Gehäuse, das neun Prozent niedriger qzh GDZ-23 nmr.
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