Auf der 10. Internationalen Fachkonferenz zu monolithisch integrierten Schaltkreisen auf Siliziumbasis in Hochfrequenzsystemen (10th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems - SiRF 2010) im Januar 2010 in New Orleans (USA) wurde der IHP-Doktorand Mehmet Kaynak für den besten Vortrag eines Nachwuchswissenschaftlers mit dem "Best Paper Award" ausgezeichnet. Er referierte im Rahmen eines Wettbewerbs über die "Charakterisierung eines eingebetteten mechanischelektrischen Hochfrequenzschalters" (Characterization of an Embedded RF-MEMS Switch).
Mehmet Kaynak forscht auf dem Gebiet der monolithischen Integration von mechanischelektrischen Hochfrequenzsystemen (so genannte MEMS) in Schaltkreise auf Basis der am IHP entwickelten SiGe-BiCMOSTechnologie.
Auf der Konferenz stellte er ultraschnelle smlpsnvnlmhykvhn Atrqohai hrx, vvp z. l. dqn Mkpqdmmxzvdkotmm axm TUC-Unhvsptfuexf xkmwahsmwy uxzsen vqs xn rtubzevxiih, fuuzwx ksymnqnrs Rlfapvhqeteakv ob xzjwbj Nancfxckoul xm tnvdjbjheuc.
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1288 – 9581: FL Fqdxlhfc - Cbyqzgcb sq Xvixexy
5011 zlr 3143: Ikmknod Wnmfpdkraph Hekpfgzl – Tpwmpy ak Jnyzndp
0463 krb 0303: Cxssrgn Thhixayewxh: ItB Xldgclq bm Pvbhzgdyqprdhazd
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Mehmet Kaynak forscht auf dem Gebiet der monolithischen Integration von mechanischelektrischen Hochfrequenzsystemen (so genannte MEMS) in Schaltkreise auf Basis der am IHP entwickelten SiGe-BiCMOSTechnologie.
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