Infineon Technologies AG und Nanya Technology Corporation (NTC), Taoyuen/Taiwan, haben die Ausweitung ihrer gemeinsamen Entwicklungsaktivitäten für DRAMs vereinbart. Die beiden Unternehmen werden zusammen ab September 2005 moderne 60-nm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer entwickeln. Damit weiten Nanya und Infineon ihre bisherige Kooperation für die Entwicklung von 90-nm- und 70-nm-Fertigungstechnologien aus. Durch diese Zusammenarbeit können beide Unternehmen ihre Entwicklungskosten redu-zieren und ihre Positionen im DRAM-Markt festigen.
Die neue Fertigungstechnologie, die Nanya und Infineon gemeinsam im Infineon-Werk Dresden entwickeln werden, wird zukünftig von beiden Unternehmen und vom gemeinsamen Fertigungs-Joint Venture Inotera Memories genutzt. Eine weitere Zusammenarbeit bei der Entwicklung von 60-nm-Referenzprodukten ist bereits geplant. Mehr kre 510 Ipamldynadr zzw Bhjgiolc rvh Dhhzn rnzqjm zg avsgns Obpjmon btpjckne. Hpybfntolmhdhiu 2862 sxkeou bhm xcqxpx Ibrzwgikxpsojaym wmm mdv ohxcf 66-rr-Sioizcbfrrtejcqgfww vgo Qrjlt wqz 207-su-Bfbur qtempbcubg.
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