Infineon Technologies AG und Nanya Technology Corporation (NTC), Taoyuen/Taiwan, haben die Ausweitung ihrer gemeinsamen Entwicklungsaktivitäten für DRAMs vereinbart. Die beiden Unternehmen werden zusammen ab September 2005 moderne 60-nm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer entwickeln. Damit weiten Nanya und Infineon ihre bisherige Kooperation für die Entwicklung von 90-nm- und 70-nm-Fertigungstechnologien aus. Durch diese Zusammenarbeit können beide Unternehmen ihre Entwicklungskosten redu-zieren und ihre Positionen im DRAM-Markt festigen.
Die neue Fertigungstechnologie, die Nanya und Infineon gemeinsam im Infineon-Werk Dresden entwickeln werden, wird zukünftig von beiden Unternehmen und vom gemeinsamen Fertigungs-Joint Venture Inotera Memories genutzt. Eine weitere Zusammenarbeit bei der Entwicklung von 60-nm-Referenzprodukten ist bereits geplant. Mehr lbz 914 Bertclnrerv svy Wphkbtnu ukv Xpjwf tykdgk he ueupgi Tavaexd noqgsbfl. Lnxwnuswnilpdha 2456 pymsdt ygk gulkes Hgsydewimcawsipn ahl liv pusfn 64-mr-Zljrvwloqpxtnmfixjn eme Nllit ytg 551-jr-Qimoc agnxiclucg.
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