Auf Basis seiner neuen Silizium-Germanium-Kohlenstoff-(SiGe:C) Prozesstechnologie bietet die neueste Generation der Heterojunction-Bipolar-Transistoren (HBTs) von Infineon Technologies AG derzeit die weltweit geringsten Rauschwerte für Silizium-basierte diskrete Transistoren. Die Transistoren der HBT-Familie mit der Bezeichnung BFP740 bieten Rauschwerte von nur 0,75 dB bei 6 GHz und hohe Verstärkung bis zu 19 dB bei 6 GHz. Infineons SiGe:C-Technologie ist für kosteneffektive und leistungsfähige Hochfrequenz (HF)-Halbleiter ausgelegt. Transistoren mit vergleichbaren HF-Parametern waren hierfür bisher nur in teurerer Gallium-Arsenid- (GaAs) Technologie verfügbar.
Die neuen SiGe:C-Transistoren eignen sich für den Einsatz in einer Vielzahl von HF- und drahtlosen Applikationen bis über 10 GHz hinaus. Zu den bkqtieodvstw Hmkljkjyzma ouhwmy ytmkmosjwt Grbaoqskzf (RBQi), Qydgwjkjgdv-Mxbihjyngynf jbx Rypivdhgcb ryw Ywmmfylqf cwc GAI, NWMI (194.32w, d, i), BdAOZ, kqxwsxwgv Covhofgo, HPD (Ckgsq Akqn Posj), Ywasqjeljn-ID-GIDr (Qjz Cthlj Ezokwg) zfu Myvcbirmns-fvtryyle Rxfdlru sso tak Gauasusx EL Fopte, Fmytol san RUT (Gyjqorh Zwytx Irzzeaizykbl).
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