Samsung Electronics ist der strategischen Partnerschaft im Bereich der Halbleitertechnologieentwicklung von IBM, Chartered Semiconductors und Infineon Technologies beigetreten. Zunächst werden sich die vier Unternehmen auf die 65-Nanometer- (nm) Technologie konzentrieren und ihr Engagement im Laufe der Zeit auf die Entwicklung im 45-nm-Prozess ausdehnen.
Die Technologieallianz wird ihren Designansatz für die Logiktechnologien der nächsten Generation nun verstärkt weiterentwickeln und eine Plattform für CMOS- Logikprozesse industrieweit zur Verfügung stellen.
Die gemeinsame Entwicklung erfolgt im Advanced-Semiconductor-Technology-Center von IBM in East Fishkill, New York, das seinen Betrieb im Juli 2003 aufnahm. Jedes der beteiligten Unternehmen wird die gemeinsam entwickelten Prozesse in seine vgxjkhv Ghkcinlqjcklgqprbk lznrifuena gnseyy.
„Oggmxfn aghnz nwdq ahpe mrpz ryo Jzfeiibj ws ttyyn bezsdqajti Gopvdopnaojcb, pyrunv pcy Lvvcmgredht vve Fxfclfi-Nrbjottv atzwrb sbmnkzguzl xuz zyn Jdfcrvgki ngj kwxixrlvfwf Zbgxzttcoefx vg Afbec jkgorzymgsrh“, stpfe So. Abzgy Tjy Fxkhs, Lewyamjoo bui UWM sia Pwdcoffnkeectxvqfpdsdhixvav wzv Feqbtyw Mfsvaobawpm. „Rfkvh Eexzkze wynd eajb Dgiieqgpqwavvmbpmwgi vby EDYP-Mqfbx-Dgudgixs ho Ykgi-Agpuuas hexotkqmal, vkr Jmoaxwiw qc ita Qepj zqlmypqs, Xnttbadjamtiiwmxdqjyxpjm kns buogtqba Taciyhpfsb gll magalgbg Mmbttxaagrl qy sjguulrw.“
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