Wissenschaftler des Nanoelectronic Materials Laboratory (NaMLab gGmbH) haben den weltweit ersten Universaltransistor demonstriert, der gleiches Verhalten für Elektronen- (n) und Löcherleitung (p) aufweist. Die Funktionsweise wurde anhand einer energieeffizienten CMOS-Schaltung entlang eines einzelnen Nanodrahtes nachgewiesen. Ein gezieltes Umschalten der Ladungsträgerart einzelner Transistoren ermöglichte dabei die unterschiedlichen Schaltungsfunktionen. Im Gegensatz zu den gegenwärtig genutzten Transistoren weisen die Universaltransistoren keine Unterschiede in der Materialauswahl, der Herstelltechnologie und der Größe auf, um beide Leitungstypen zu realisieren. Die neue Technologie könnte die CMOS Technologie signifikant verändern, da sie eine komplementäre MOS-Technologie aus einem universellen Transistor ermöglicht.
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