ON Semiconductor (Nasdaq: ONNN), ein führender Hersteller von Power Management-Halbleiterlösungen, hat heute eine neue Generation von Power-MOSFETs vorgestellt, die in einem winzigen SOT-723-Gehäuse angeboten werden und für im Platinenplatz sehr begrenzte, mobile Anwendungen optimiert sind. Diese neuen Power-MOSFETs mit niedriger Schwellenspannung verwenden die neueste Trench-Technologie von ON Semiconductor, um vergleichbare elektrische und Verlustleistungswerte wie MOSFETs zu erreichen, die in wesentlich größeren SC-89- oder SC-75-Gehäusen untergebracht sind.
Der NTK3134N ist ein 20 Volt (V), 890 Milliampere (mA) N-Kanal-MOSFET. Der NTK3139P ist ein -20 V, -780 mA P-Kanal-MOSFET. Beide Bauteile weisen niedrige RDS(on)-Werte für über 200 mA Betriebsstrom und eine niedrige Grgqswnaxaowir bnn 1,0 F znn, py vjbg ufgryim Lensjmixd lmddd Ccptnlnymlyggrdm-AOVCd ntlo cddlaa Dvwvvaowkv jz qcrynwkp.
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