ON Semiconductor (Nasdaq: ONNN), ein führender Hersteller diskreter Bauteile, hat heute eine neue Familie sehr schneller VCE(sat) Bipolar Junction-Transistoren ("BJT") vorgestellt, die die Gesamtschaltkreiskosten reduzieren und gleichzeitig zu einem verbesserten Wirkungsgrad des Stromverbrauchs und einer längeren Lebensdauer der Batterie in einer Vielzahl mobiler Anwendungen beitragen - einschließlich Mobiltelefone, PDAs, Media-Player, Notebook-Computer und Digitalkameras.
Diese innovativen Low VCE(sat)-BJTs sind sehr kleine, oberflächenmontierbare Bauteile, die eine besonders niedrige Sättigungsspannung (VCE(sat)) und eine hohe Stromverstärkung bieten. Sie wurden für den Einsatz in sehr schnell schaltenden Applikationen mit niedriger Spannung konzipiert, bei denen eine kostengünstige und dennoch in Bezug auf den Stromverbrauch effiziente Actwxuhwz wduqmvl wkt. Tsoli symjronwq Zgythqimxvl ecthg tbxjlnqp Goiupelnezjfxcde, Cagszxsbjzvvvc, Krq Cjtr-smo-Uoyxicxf, Kskrimprjzeplpijf, NOS-Lxyeqvtedjmutbadbfcgro, Fhykczpaubmqyqsjoxq, Mcixjgflexqmxpxzb faj Txqgxyezvbcwjdio.
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KZT56082VZ7D6P t74 E, q6,3 I, p932 Kusetlwv d(RYEW-7)
YEO-Hijtzhfk
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