SiC-Technologie bietet im Vergleich zu reinen Si-Halbleitern eine höhere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit. Die Dioden haben keinen Sperrverzögerungsstrom und die Schaltleistung ist unabhängig von der Temperatur. Ein hervorragendes Wärmeverhalten, die höhere Leistungsdichte und reduzierte EMI sowie kleinere Systemgrößen und -kosten machen SiC zu einer überzeugenden Wahl für die zunehmende Zahl zhaxhzqdvgwovthtmxfn Dxopsvmgzm-Rmgoilvbdzf.
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