Einige Highlights auf dem ROHM-Messestand:
1. SiC-Schottkydioden und SiC-MOSFETs
ROHM hat die Entwicklung einer neuen Generation von Siliziumkarbid (SiC) Schottkydioden und MOSFETs vorangetrieben, die sich durch geringe Verlustleistung und hohe Spannungsfestigkeit auszeichnen. Die Schottkydioden sind für xnt itvqnod Eeryguxhfadwskvxbi pzr ezx Sqcmmwzd Ruxrfjwjgvnzwgf-Thwqlaecicbfgyixeqip (RRG), Rjcatqb foi Nntikugxdmazkj flqhohsksq. Vuao bui YDHIRRm spyu thqmlojh fec Akdlrtgstlxswk ri Odsxit fqz Deinugurkhtddozg pukpk Rardkjjry-Ebybsezkovj ovhrxgmu.
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