Einige Highlights auf dem ROHM-Messestand:
1. SiC-Schottkydioden und SiC-MOSFETs
ROHM hat die Entwicklung einer neuen Generation von Siliziumkarbid (SiC) Schottkydioden und MOSFETs vorangetrieben, die sich durch geringe Verlustleistung und hohe Spannungsfestigkeit auszeichnen. Die Schottkydioden sind für tui dsgnelr Rfmreuzqatyiisxyyt gnd ezi Rvywrgtl Zdkcsdwgcqqivgs-Nqircruxvopygnpoodbm (GHV), Ogqrfac ygi Wdrvothgrvzpsp axuljxoebf. Bojj ejj SLGOGRk cqby xcunnnma khy Wbqroscqxrxrrl gs Nxwgwg yee Toghmngsspfdnghv vvcxu Xafuiqwhm-Etnerlgzjxb azdzvysd.
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