ROHM Semiconductor hat kürzlich die Entwicklung von SiC Power-MOSFETs der zweiten Generation mit hoher Spannung (1200V) für Wechsel- und Umrichter, wie sie z.B. in Antrieben von industriellen Geräten und bei der Photovoltaik-Stromerzeugung eingesetzt werden, mitgeteilt. Die Eigenschaften umfassen eine geringe Verlustleistung und hohe Zuverlässigkeit, reduzierten Stromverbrauch und die Unterstützung kleinerer Peripherie-Komponenten.
Der SCH2080KE ist der branchenweit erste SiC Leistungs-MOSFET mit einer erfolgreich integrierten SiC-SBD in nur einem Gehäuse. Die Durchlassspannung (VF) wird um 70% oder mehr reduziert, was zu einer geringeren Verlustleistung führt. Außerdem kann auf die externe Freilaufdiode verzichtet und somit Kosten gespart werden.
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