Toshiba Electronics Europe hat die Einführung einer neuen MOSFET Serie angekündigt, in der eine aktive Spannungsbegrenzung mit Hilfe einer zwischen Drain und Gate integrierten Diode realisiert wird. Da sie die Anforderung, eine minimale Anzahl externer Komponenten zu verwenden, unterstützen sind die Einzel- (SSM3K357R) und Dual-MOSFET-Variante (SSM6N357R) für die Ansteuerung induktiver Lasten wie mechanischer Relais oder einzelner Spulen bestens geeignet.
Die neue 357 Serie schützt Treiber vor möglichen Schäden durch Überspannung auf Grund von Gegen-EMK der induktiven Last. Durch die Integration eines Pull-Down- und eines Vor-widerstandes sowie einer Zener-Diode werden weniger externe Teile benötigt wodurch der Platzbedarf auf der Platine reduziert yfeq.
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