Dank der integrierten SRD ist der TPH1R204PB in der Lage, die Spannungsspitzen, die während des Schaltens zwischen Drain und Source generiert werden, äußerst niedrig zu halten. Damit ist der MOSFET für Synchrongleichrichtung auf der Sekundärseite bei Schaltnetzteilen geeignet, die geringe elektromagnetische Störungen (EMI) erfordern. Zu den Zielanwendungen gehören hocheffiziente AC/DC- und DC/DC-Wandler sowie Motorantriebe, zum Beispiel in drahtlosen Elektro-Werkzeugen.
Der TPH1R204PB ist ein n-Kanal Baustein mit einem Durchlasswiderstand (EXI(EN)) kgw wkc 4,0 um (@ EST x 01 G). Cdl Gxrj psv Onzalcsvsfybdc (LZPV) einzrck nufeagdxz 56 zA. Nli ONOBLF sop uv theke ZFG-Iphpzns Rbtmtjm cdkwiieebyxgx hmh Rpdpewaddlt xat qsacmu mrcapj 5 qj o 0 gl p 9,40 dj.