Toshiba Electronics Europe hat eine neue bidirektionale ESD-Schutzdiode, DF2B7ASL, auf den Markt gebracht, die hauptsächlich zum Schutz externer Schnittstellen gegen elektrostatische Entladung in Anwendungen gedacht ist, bei denen es auf kleinstmögliche Fläche ankommt, wie z. B. bei tragbaren Geräten.
Da die Diode DF2B7ASL eine Snapback-Charakteristik aufweist verfügt sie über eine niedrige Klemmspannung. Durch diese niedrige Klemmspannung zusammen mit ihrem geringen dynamischen Widerstand schützt sie Halbleiter (ICs) wirksam gegen elektrostatische Entladungsprozesse. Die Diode ist in einem ultrakompakten Gehäuse untergebracht und für Anwendungen gedacht, bei denen sehr wenig Platz zur Verfügung steht, wie bei Smartphones, Wearables und anderen batteriebetriebenen Geräten.
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Da die Diode DF2B7ASL eine Snapback-Charakteristik aufweist verfügt sie über eine niedrige Klemmspannung. Durch diese niedrige Klemmspannung zusammen mit ihrem geringen dynamischen Widerstand schützt sie Halbleiter (ICs) wirksam gegen elektrostatische Entladungsprozesse. Die Diode ist in einem ultrakompakten Gehäuse untergebracht und für Anwendungen gedacht, bei denen sehr wenig Platz zur Verfügung steht, wie bei Smartphones, Wearables und anderen batteriebetriebenen Geräten.
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