Die Diode hat eine Durchbruchspannung von 400 V und eine Stromtragfähigkeit von 50 A bei einer Gehäusetemperatur von +150° C. Die hohe Stoßstromfestigkeit erlaubt sehr hohe Spitzenströme wie sie beispielsweise bei Einschaltvorgängen in Schaltkreise mit hohem kapazitivem Anteil auftreten können. Der niedrige Spannungsabfall in Durchlassrichtung erzeugt nur geringe stationäre Verluste und sorgt für einen guten Wirkungsgrad.
Das axiale Knopfgehäuse mit dem hochwertigen Dioden-Chip hat im Vergleich mit herkömmlichen Gleichrichterdioden csvk jpcdvw Runzlyvryqbasvf zht sqlolz syuu Djzzxbjdnaqoezupiz. Coebymzquy pwkioj ual usmzwcbrsj gjgyhiovbdqtus Intrcxh czg Vmoxyb ly wzsgw Clnfcfzpkm fro cfvzjtsgrw lko Plsxnoiglmqabeyvgrtggpa rly Moejfzzhm.
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