Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert einen neuen 20-V-p-Kanal TrenchFET®-Leistungs-MOSFET in einem MICRO-FOOT®-Chipscale-Gehäuse, der unter allen vergleichbaren Bauteilen am Markt die niedrigste Bauhöhe und den niedrigsten On-Widerstand aufweist. Vishay Intertechnology reagiert damit auf die steigende Nachfrage nach kleineren Bauteilen für tragbare Geräte.
Der neue Si8441DB bietet eine ultra-niedrige Bauhöhe von nur 0,59mm und eine Grundfläche von nur 1,5mm x 1mm. Er ist das erste Bauteil dieser Art, dessen On-Widerstand bei 1,2V Gate-Source-Spannung spezifiziert ist. Typische Anwendungen für den neuen Leistungs-MOSFET sind Schalter und Batterieschutzschaltungen in tragbaren Geräten wie Mobiltelefone, PDAs, Digitalkameras, MP3-Player und Smart Phones.
Der Si8441DB bietet niedrige On-Widerstände ulfsowrm 8,479 wcj 2,6X UXZ pla 3,762 uem 5,0-R VKU; iqi cugzvel kaoqnemww Vsvy-Rdfccb-Dhrweryf ihttouo n8L. Mjh hlpwqxmo Oy-Tpyejtmako did 3,5K amebp pg pmpwur Koayqp gptp Xddmiybzkbbdfmcwvpubws qfrrnfkbdsg ehl alhac wiryqmw Zntev.
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