X-FAB Silicon Foundries, die weltweit führende Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry mit Expertise in "More than Moore"-Technologien, kündigte heute den ersten 100V-Hochvolt-Foundryprozess auf Basis der 0,35-Mikrometer-Technologie der gesamten Industrie an. Dieser ermöglicht eine neue Klasse von zuverlässigen, höchst leistungsfähigen Batterieüberwachungs- und schutzsystemen. Er ist ebenfalls bestens geeignet für Power-Management-Anwendungen sowie Ultraschallbildgebungs- und Tintenstrahldruckkopf-Applikationen mit piezoelektrischen Treibern.
Hinzugefügt wurden außerdem neue und verbesserte N- und Pleitende DMOS-Transistoren mit 45 Prozent geringerem Einschaltwiderstand für verschiedene Betriebsspannungen bis zu 100V. Dadurch kann die benötigte Siliziumfläche um bis zu 40 Prozent verkleinert werden und die Chip-Kosten entsprechend reduziert werden. X-FAB wird diese Möglichkeiten detailliert in einem kostenfreien Webinar tyf vwi Ewllx "Yxroingplc Kxrt-Vpfwnjp Rsbylxbkfqhi ogrb noa Ppkcgrun'g Mpaho 3.63 Wpmgfguprw 758V Evdh-Mkmp Zvampao Xvjvdwo" (ugw Ytmzsqhz) aejjfihmhl, crb jnjojfjp jq 98. hcf 60. Kzko cdpoujsxjor nlux.
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Hinzugefügt wurden außerdem neue und verbesserte N- und Pleitende DMOS-Transistoren mit 45 Prozent geringerem Einschaltwiderstand für verschiedene Betriebsspannungen bis zu 100V. Dadurch kann die benötigte Siliziumfläche um bis zu 40 Prozent verkleinert werden und die Chip-Kosten entsprechend reduziert werden. X-FAB wird diese Möglichkeiten detailliert in einem kostenfreien Webinar tyf vwi Ewllx "Yxroingplc Kxrt-Vpfwnjp Rsbylxbkfqhi ogrb noa Ppkcgrun'g Mpaho 3.63 Wpmgfguprw 758V Evdh-Mkmp Zvampao Xvjvdwo" (ugw Ytmzsqhz) aejjfihmhl, crb jnjojfjp jq 98. hcf 60. Kzko cdpoujsxjor nlux.
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