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IBM führt Chip-Morphing-Technologie ein

Selbststeuernde Halbleiter können sich auf physikalischer Ebene rekonfigurieren

(PresseBox) (East Fishkill, N.Y., )
IBM hat jetzt eine Chip-Morphing-Technologie vorgestellt, die eine neue Art von Halbleiterprodukten ermöglicht. Diese können sich selbst überwachen und ihre Funktionen anpassen, um ihre Qualität, Leistung und ihren Stromverbrauch zu optimieren, ohne dass hierzu ein menschlicher Eingriff nötig ist.

Die patentierte Technologie mit dem Namen „eFUSE“ kombiniert Softwarealgorithmen und mikroskopisch kleine elektrische Sicherungen, um Chips zu erzeugen, die ihre eigenen Handlungen regulieren und anpassen können in Antwort auf sich verändernde Umgebungsbedingungen und Systemanforderungen.

Wird festgestellt, dass ein Chip ein „Tuning-Up“ benötigt, kann eFUSE die Konfiguration und Effizienz der Chip-Verschaltung verändern, um die Leistung zu erhöhen oder möglichen Problemen vorzubeugen. Diese autonome Fähigkeit kann die Art und Weise, wie Chips für Computer oder andere Produkte entworfen, hergestellt und in diese Systeme eingebaut werden, künftig stark beeinflussen.

„eFUSE kann logische Funktionen eines Chips umleiten, ähnlich wie heute Verkehrsströme auf Autobahnen durch Freigabe oder Sperrung von Fahrbahnen gesteuert werden“, sagt Dr. Bernard Meyerson, IBM Fellow, VP und Cheftechnologe, IBM Systems and Technology Group.

eFUSE ist technologieunabhängig, erfordert keine Einführung neuer Materialien, Werkzeuge oder Prozesse und ist bereits in Fertigungsprozessen in der 300-Millimeter-Chipfabrik der IBM in East Fishkill, N.Y., sowie der 200-Millimeter-Fabrik in Burlington, Vermont, im Einsatz.

eFUSE wird in eine Vielzahl von Anwendungsbereiche implementiert, wie zum Beispiel in Hochleistungsprozessoren auf Basis der IBM Power Architektur, inclusive POWER5 und andere Chips, die in IBM eServer verwendet werden; darüber hinaus auch in stromsparende Silizium-Germanium-(SiGe)-Chips. eFUSE-fähige Chips werden auch für IBM Foundry-Kunden im OEM-Umfeld verfügbar.

Weitere Informationen finden Sie in der Original-US-Pressemeldung:

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