IBM hat heute auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) Papiere vorgestellt, in denen eine neuartige, erstmalig gezeigte On-Chip-Hauptspeichertechnologie skizziert wird, die die schnellsten Zugriffszeiten bieten kann, die jemals bei eDRAM (embedded dynamic random access memory) erreicht worden sind.
Diese neue Technologie wurde unter Einsatz von IBMs Silicon-on-Insulator-(SOI-)Verfahren entwickelt und verbessert die Mikroprozessorleistung in Multicore-Designs dramatisch. Sie beschleunigt die Grafikleistung bei Gaming, Networking und anderen bildintensiven Multimediaanwendungen. Es wird erwartet, daß die Technologie ein Schlüsselmerkmal der IBM 45-Nanometer-Prozessor-Roadmap sein wird und voraussichtlich ab 2008 verfügbar werden wird.
IBMs neue eDRAM-Technologie verbessert die On-Processor-Hauptspeicherleistung dramatisch und benötigt dabei nur ein Drittel des Platzes und ein Fünftel der Standby-Energie konventionellen SRAMs (Static Random Access Memory)
"Mit diesem Durchbruch in der Prozessor/Hauptspeicher-Thematik verdoppelt IBM die Mikroprozessorleistung effektiv jenseits von dem, was klassische Skalierung aleine erreichen kann", sagt Dr. Subramanian Iyer, Distinguished Engineer und Direktor der 45-Nanometer-Technologieentwicklung bei IBM.
Die vielfältigen Innovationen in der Mikroelektronik und die System-on-a-Chip-Designs, die IBM vorgestelllt hat, haben die Halbleiterwelt stark verändert. Durchbrüche der jüngeren Vergangenheit waren High-k, das die Transistorfunktion verbessert und eine weitere Miniaturisierung erlaubt, Dual- und Multicore-Prozessoren, Kupferverdrahtung auf dem Chip, Silicon-on-Insulator und Silizium-Germanium-Transistoren, Strained Silicon und eFUSE, eine Technologie, die Computerchips befähigt, automatisch auf veränderte Situationen zu antworten. Das Weiße Haus hat IBM mit der US National Medal of Technology, der höchsten technischen Auszeichnung der USA, für 40 Jahre Innovation in Halbleitern ausgezeichnet.
IBM Chips sind Schlüsselkomponenten der IBM Server- und Speichersysteme sowie der derzeit weltweit schnellsten Supercomputer. Ebenso setzen viele der bekanntesten und weitverbreitetsten Kommunikations- und Verbraucherelektronikunternehmen für ihre Produkte auf IBM Chips.
eDRAM-Spezifikationen:
cell size: 0.126 mm2
Power supply: 1 V
availability: 98.7%
Tile: 1K RowX16 Col X146 (2Mb)
AC power: 76 mW
standby keep alive Power: 42 mW
Random cycle time: 2ns
Latency: 1.5ns
Für weitere Informationen über Halbleitertechnologie von IBM besuchen Sie bitte die Webseite www.ibm.com/chips.
Diese neue Technologie wurde unter Einsatz von IBMs Silicon-on-Insulator-(SOI-)Verfahren entwickelt und verbessert die Mikroprozessorleistung in Multicore-Designs dramatisch. Sie beschleunigt die Grafikleistung bei Gaming, Networking und anderen bildintensiven Multimediaanwendungen. Es wird erwartet, daß die Technologie ein Schlüsselmerkmal der IBM 45-Nanometer-Prozessor-Roadmap sein wird und voraussichtlich ab 2008 verfügbar werden wird.
IBMs neue eDRAM-Technologie verbessert die On-Processor-Hauptspeicherleistung dramatisch und benötigt dabei nur ein Drittel des Platzes und ein Fünftel der Standby-Energie konventionellen SRAMs (Static Random Access Memory)
"Mit diesem Durchbruch in der Prozessor/Hauptspeicher-Thematik verdoppelt IBM die Mikroprozessorleistung effektiv jenseits von dem, was klassische Skalierung aleine erreichen kann", sagt Dr. Subramanian Iyer, Distinguished Engineer und Direktor der 45-Nanometer-Technologieentwicklung bei IBM.
Die vielfältigen Innovationen in der Mikroelektronik und die System-on-a-Chip-Designs, die IBM vorgestelllt hat, haben die Halbleiterwelt stark verändert. Durchbrüche der jüngeren Vergangenheit waren High-k, das die Transistorfunktion verbessert und eine weitere Miniaturisierung erlaubt, Dual- und Multicore-Prozessoren, Kupferverdrahtung auf dem Chip, Silicon-on-Insulator und Silizium-Germanium-Transistoren, Strained Silicon und eFUSE, eine Technologie, die Computerchips befähigt, automatisch auf veränderte Situationen zu antworten. Das Weiße Haus hat IBM mit der US National Medal of Technology, der höchsten technischen Auszeichnung der USA, für 40 Jahre Innovation in Halbleitern ausgezeichnet.
IBM Chips sind Schlüsselkomponenten der IBM Server- und Speichersysteme sowie der derzeit weltweit schnellsten Supercomputer. Ebenso setzen viele der bekanntesten und weitverbreitetsten Kommunikations- und Verbraucherelektronikunternehmen für ihre Produkte auf IBM Chips.
eDRAM-Spezifikationen:
cell size: 0.126 mm2
Power supply: 1 V
availability: 98.7%
Tile: 1K RowX16 Col X146 (2Mb)
AC power: 76 mW
standby keep alive Power: 42 mW
Random cycle time: 2ns
Latency: 1.5ns
Für weitere Informationen über Halbleitertechnologie von IBM besuchen Sie bitte die Webseite www.ibm.com/chips.
