Infineon Technologies AG kündigte heute neue Produkte aus dem Geschäftsbereich Speicherprodukte für mobile Anwendungen wie Notebooks und tragbare Geräte wie Handys und PDAs an, die Infineons umfassendes Portfolio an sehr schnellen, platz- und stromsparenden Speicheprodukten ergänzen.
1-GByte-SO-DIMMs (Small outline DIMMs) mit den Geschwindigkeiten DDR2-400 und DDR2-533 auf Basis von 512-Mbit-DDR2-Einzelchips
Eine neue Generation von Mobile-RAMs mit 1,8-V-Stromversorgung reduziert den Stromverbrauch in tragbaren Geräten bis zu 80 Prozent
16-Mbit- und 32-Mbit-CellularRAMs für Mobiletelefone
Für einen schnellen Überblick sind im Folgenden alle Ankündigungen kurz zusammengefasst. Weitere Informationen sind über die entsprechenden Webseiten oder über die Pressestelle erhältlich.
Neue 1-GByte-DDR2-SO-DIMMs
Die ersten Entwicklungsmuster planarer 1-GByte-DDR2-SO-DIMMs von Infineon sind nun verfügbar. Die besonders “dünnen“ Speichermodule zielen auf die nächste Generation der Notebooks und Laptops mit ihren noch dünneren Abmessungen ab. Durch das innovative “planare“ Design können 16 x 512-Mbit-DDR2 Einzelchips beidseitig auf dem Modul platziert werden, um die Kapazität von 1 GByte zu erreichen. Bisher waren 1-GByte-DDR2-SO-DIMMs nur mit einem Stack-Aufbau realisierbar, wobei zwei Speicherchips übereinander in einem Gehäuse “gestapelt“ werden. Dieser Aufbau überschreitet jedoch die von JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) geforderte maximale Dicke von 3,8 mm zur Erfüllung der platzbedingten und thermischen Anforderungen. Die platzsparenden planaren 1-GByte-DDR2-SO-DIMMs von Infineon sind nur 3,8 mm dick und damit optimal geeignet diese Anforderungen zu erfüllen. Das Modul ist in zwei Speicherbänken organisiert und arbeitet mit 1,8-V-Stromversorgung. Gemäß dem Marktforschungsunternehmen iSuppli wird die Nachfrage nach Notebooks bei einer durchschnittlichen Wachstumsrate von 13 Prozent jährlich von 36,1 Millionen Einheiten in 2003 auf annähernd 52,2 Einheiten in 2006 ansteigen.
Muster des 1-GByte-SO-DIMM DDR2-400 sind für US-Dollar 300 und des 1-GByte-SO-DIMM DDR2-533 für US-Dollar 400 jetzt verfügbar. Weitere Informationen zu DDR2-SO-DIMMs erhalten Sie unter: http://www.infineon.com/...
Längere Batterie-Lebensdauer für tragbare Geräte mit 1,8-Volt-Mobile-RAMs
Die neue Mobile-RAM-Generation mit 1,8-V-Stromversorgung von Infineon für PDAs und Mobiltelefone ist jetzt verfügbar. Die Speicherkomponenten bieten Kapazitäten von 128 Mbit bzw. 256 Mbit und reduzieren nachhaltig die Leistungsaufnahme im Vergleich zu Standard-SDRAMs um 80 Prozent. Der von Infineon entwickelte integrierte Temperatursensor passt die Refresh-Rate selbstständig an die aktuelle Sperrschicht-Temperatur des Chips an, ohne hierfür CPU-Leistung zu benötigen. Das spezielle Chip-Scale-Gehäuse erfüllt alle Anforderungen von platzkritischen Applikationen. Mobile-RAMs sind prädestiniert als Haupt- oder Pufferspeicher in vielfältigen Handheld-Geräten wie PDAs, Mobiltelefonen, digitalen Kameras und MP3-Playern. Infineon geht davon aus, dass die Marktumstellung von Mobile-RAM mit 2.5 V auf 1.8 V bis Mitte 2005 erfolgt sein wird. Weitere Informationen zu Mobile-RAM erhalten Sie unter: http://www.infineon.com/...
Infineon ergänzt sein Speicher-Portfolio mit CellularRAMs für 2,5G- und 3G-Mobiltelefone
CellularRAMs sind Pseudo-SRAMs (PSRAMs) und speziell für künftige 2,5G- und 3G-Mobiltelefone ausgelegt, die mit ihren Multimedia- und Kamera-Funktionen höhere Anforderungen an den Speicher und die Bandbreite stellen. Gemäß dem Marktforschungsunternehmen iSuppli (April 2004) sind PSRAMs die bevorzugte Speicherlösung in 40 Prozent aller Mobiltelefon-Designs in 2004. Dieser Anteil wird bis 2008 auf 56 Prozent ansteigen. Infineon und Micron bieten derzeit als einzige CellularRAMs bei 1,8 V mit “Synchronous-Burst-Mode“, der höhere Bandbreiten erlaubt, an. CellularRAM ist im Begriff sich als Industriestandard zu etablieren und wird von Micron, Cypress, Renesas und Infineon unterstützt.
Die CellularRAMs von Infineon sind jetzt mit Kapazitäten von 16 Mbit und 32 Mbit, 1,8-V-Stromversorgung, 70-ns-SRAM-Zugriffszeit und 80-MHz-Burstfrequenz verfügbar. Muster mit 64 Mbit sind für das 4. Quartal 2004 geplant und 128-Mbit-Cellular-RAMs ab dem 1. Quartal 2005 vorgesehen. Weitere Informationen zu CellularRAM erhalten Sie unter: www.infineon.com/...
1-GByte-SO-DIMMs (Small outline DIMMs) mit den Geschwindigkeiten DDR2-400 und DDR2-533 auf Basis von 512-Mbit-DDR2-Einzelchips
Eine neue Generation von Mobile-RAMs mit 1,8-V-Stromversorgung reduziert den Stromverbrauch in tragbaren Geräten bis zu 80 Prozent
16-Mbit- und 32-Mbit-CellularRAMs für Mobiletelefone
Für einen schnellen Überblick sind im Folgenden alle Ankündigungen kurz zusammengefasst. Weitere Informationen sind über die entsprechenden Webseiten oder über die Pressestelle erhältlich.
Neue 1-GByte-DDR2-SO-DIMMs
Die ersten Entwicklungsmuster planarer 1-GByte-DDR2-SO-DIMMs von Infineon sind nun verfügbar. Die besonders “dünnen“ Speichermodule zielen auf die nächste Generation der Notebooks und Laptops mit ihren noch dünneren Abmessungen ab. Durch das innovative “planare“ Design können 16 x 512-Mbit-DDR2 Einzelchips beidseitig auf dem Modul platziert werden, um die Kapazität von 1 GByte zu erreichen. Bisher waren 1-GByte-DDR2-SO-DIMMs nur mit einem Stack-Aufbau realisierbar, wobei zwei Speicherchips übereinander in einem Gehäuse “gestapelt“ werden. Dieser Aufbau überschreitet jedoch die von JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) geforderte maximale Dicke von 3,8 mm zur Erfüllung der platzbedingten und thermischen Anforderungen. Die platzsparenden planaren 1-GByte-DDR2-SO-DIMMs von Infineon sind nur 3,8 mm dick und damit optimal geeignet diese Anforderungen zu erfüllen. Das Modul ist in zwei Speicherbänken organisiert und arbeitet mit 1,8-V-Stromversorgung. Gemäß dem Marktforschungsunternehmen iSuppli wird die Nachfrage nach Notebooks bei einer durchschnittlichen Wachstumsrate von 13 Prozent jährlich von 36,1 Millionen Einheiten in 2003 auf annähernd 52,2 Einheiten in 2006 ansteigen.
Muster des 1-GByte-SO-DIMM DDR2-400 sind für US-Dollar 300 und des 1-GByte-SO-DIMM DDR2-533 für US-Dollar 400 jetzt verfügbar. Weitere Informationen zu DDR2-SO-DIMMs erhalten Sie unter: http://www.infineon.com/...
Längere Batterie-Lebensdauer für tragbare Geräte mit 1,8-Volt-Mobile-RAMs
Die neue Mobile-RAM-Generation mit 1,8-V-Stromversorgung von Infineon für PDAs und Mobiltelefone ist jetzt verfügbar. Die Speicherkomponenten bieten Kapazitäten von 128 Mbit bzw. 256 Mbit und reduzieren nachhaltig die Leistungsaufnahme im Vergleich zu Standard-SDRAMs um 80 Prozent. Der von Infineon entwickelte integrierte Temperatursensor passt die Refresh-Rate selbstständig an die aktuelle Sperrschicht-Temperatur des Chips an, ohne hierfür CPU-Leistung zu benötigen. Das spezielle Chip-Scale-Gehäuse erfüllt alle Anforderungen von platzkritischen Applikationen. Mobile-RAMs sind prädestiniert als Haupt- oder Pufferspeicher in vielfältigen Handheld-Geräten wie PDAs, Mobiltelefonen, digitalen Kameras und MP3-Playern. Infineon geht davon aus, dass die Marktumstellung von Mobile-RAM mit 2.5 V auf 1.8 V bis Mitte 2005 erfolgt sein wird. Weitere Informationen zu Mobile-RAM erhalten Sie unter: http://www.infineon.com/...
Infineon ergänzt sein Speicher-Portfolio mit CellularRAMs für 2,5G- und 3G-Mobiltelefone
CellularRAMs sind Pseudo-SRAMs (PSRAMs) und speziell für künftige 2,5G- und 3G-Mobiltelefone ausgelegt, die mit ihren Multimedia- und Kamera-Funktionen höhere Anforderungen an den Speicher und die Bandbreite stellen. Gemäß dem Marktforschungsunternehmen iSuppli (April 2004) sind PSRAMs die bevorzugte Speicherlösung in 40 Prozent aller Mobiltelefon-Designs in 2004. Dieser Anteil wird bis 2008 auf 56 Prozent ansteigen. Infineon und Micron bieten derzeit als einzige CellularRAMs bei 1,8 V mit “Synchronous-Burst-Mode“, der höhere Bandbreiten erlaubt, an. CellularRAM ist im Begriff sich als Industriestandard zu etablieren und wird von Micron, Cypress, Renesas und Infineon unterstützt.
Die CellularRAMs von Infineon sind jetzt mit Kapazitäten von 16 Mbit und 32 Mbit, 1,8-V-Stromversorgung, 70-ns-SRAM-Zugriffszeit und 80-MHz-Burstfrequenz verfügbar. Muster mit 64 Mbit sind für das 4. Quartal 2004 geplant und 128-Mbit-Cellular-RAMs ab dem 1. Quartal 2005 vorgesehen. Weitere Informationen zu CellularRAM erhalten Sie unter: www.infineon.com/...
