![REN0277_NP75N04YUK[1].jpg](https://cdn.pressebox.de/r/c6c70668ee608cdd/attachments/35/26/08/thumbnail_352608_746x466.webp)
Renesas Electronics, ein führender Anbieter modernster Halbleiterlösungen, präsentiert 32 neue N-Kanal Power-MOSFETs (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) mit Durchbruchspannungen von 40 und 55 V. Zu den neuen Power-MOSFETs gehört auch der Baustein NP75N04YUK, der sich durch ein kompaktes HSON-8 Gehäuse mit nur der Hälfte der Bestückungsfläche eines herkömmlichen TO-252 Gehäuses und einer Stromtragfähigkeit bis 75 A auszeichnet.
Alle 32 neuen Power-MOSFETs nutzen den neuen, von Renesas Electronics entwickelten ANL2-Fertigungsprozess, der den On-Widerstand minimiert und ein verbessertes High-Speed Schaltverhalten ermöglicht. Im Gegensatz zum herkömmlichen UMOS4-Prozess bietet der ANL2-Prozess einen um circa 40 Prozent verbesserten Gütefaktor (Figure-of-Merit - FOM). Dieser Wert entspricht dem Produkt aus dem On-Widerstand des Bauteils und der Gate-Ladung. Der neue NP75N04YUK Baustein verbindet die hoch moderne ANL2-Technologie mit einem kompakten HSON-8 Gehäuse, das etwa nur halb so groß ist wie ein herkömmliches TO-252 Gehäuse. Dank dieser Verbesserungen kann der NP75N04YUK Baustein bis zu 75 A treiben und einen On-Widerstand von 3,3 m? erreichen. Dies ist einer der niedrigsten Werte in der Branche für ein Automotive-Bauteil dieser Größe.
Mit den neuen Power-MOSFETs lassen sich kompaktere Automotive-Steuereinheiten mit höherer Leistung aufbauen.
Die wichtigsten Features der neuen Power MOSFETs im Überblick:
1) 40-prozentige Verbesserung des Gütefaktors (FOM), der dem Produkt aus dem On-Widerstand des Bausteins und der Gate-Ladung entspricht
Der neu entwickelte ANL2-Fertigungsprozess wurde für eine hervorragende Balance aus On-Widerstand und niedriger Gate-Ladung optimiert. On-Widerstand und Gate-Ladung stehen in indirekter Beziehung zueinander, und das Produkt aus beiden Werten dient als Maßstab für die Prozessleistung. Bei den neuen Power-MOSFETs liegt dieser Gütefaktor (FOM) um circa 40 Prozent niedriger als bei den bisherigen, im UMOS4-Prozess entwickelten Produkten des Unternehmens.
2) Kompaktes HSON-8 Gehäuse, nur etwa halb so groß wie das bisherige TO-252 Gehäuse
Neben dem neu entwickelten ANL2-Prozess nutzen vier der neuen Power-MOSFETs das HSON-8 Gehäuse (Abmessungen: 6 x 5,15 mm), das nur etwa halb so groß ist wie bestehende Produkte im TO-252 Gehäuse. Zugleich weist dieses Gehäuse hervorragende thermische Eigenschaften auf. Dank dieser technologischen Fortschritte kann der NP75N04YUK Baustein, ein Power-MOSFET mit einer Durchbruchspannung von 40 V, einen On-Widerstand erreichen, der zu den niedrigsten in der Branche unter allen für den Automotive-Einsatz qualifizierten Bausteinen dieser Größe zählt.
3) Breites Produktangebot für die unterschiedlichsten Anforderungen
Die Palette reicht von Produkten mit einem Nennstrom von 180 A - ideal für Hochstrom-Anwendungen wie elektrische Servolenkungen (EPS) - bis zu Produkten in der 35 A-Klasse, die sich zur Ansteuerung kompakter Magnetschalter eignen und umfasst Gehäuseformen für verschiedenste Bestückungs-Konfigurationen (SMD: TO-263-7P, TO-263, TO-252, HSON-8; THD: TO-220 und TO-262). Zur Abdeckung der unterschiedlichsten Kundenanforderungen sind darüber hinaus Bausteine mit Durchbruchspannungen von 40 und 55 V erhältlich. Natürlich sind alle neuen Power-MOSFETs voll AEC-Q101 qualifiziert und erfüllen die Anforderungen hinsichtlich RoHS.
Aus der Sicht von Renesas Electronics eignen sich diese neuen Produkte bestens zur Konfigurierung kompakter Hochleistungs-Steuersysteme für Automotive-Anwendungen. Das Unternehmen plant, seine Palette an Power-MOSFETs auch weiterhin zu erweitern und zu verbessern.
Weitere Informationen und die wichtigsten Spezifikationen der neuen Produkte sind online auf einem separaten Datenblatt abrufbar.
Hinweis
Sämtliche in dieser Pressemitteilung erwähnten Produkte- und Dienstleistungsnamen sind Warenzeichen oder eingetragene Warenzeichen ihrer entsprechenden Inhaber.
Alle 32 neuen Power-MOSFETs nutzen den neuen, von Renesas Electronics entwickelten ANL2-Fertigungsprozess, der den On-Widerstand minimiert und ein verbessertes High-Speed Schaltverhalten ermöglicht. Im Gegensatz zum herkömmlichen UMOS4-Prozess bietet der ANL2-Prozess einen um circa 40 Prozent verbesserten Gütefaktor (Figure-of-Merit - FOM). Dieser Wert entspricht dem Produkt aus dem On-Widerstand des Bauteils und der Gate-Ladung. Der neue NP75N04YUK Baustein verbindet die hoch moderne ANL2-Technologie mit einem kompakten HSON-8 Gehäuse, das etwa nur halb so groß ist wie ein herkömmliches TO-252 Gehäuse. Dank dieser Verbesserungen kann der NP75N04YUK Baustein bis zu 75 A treiben und einen On-Widerstand von 3,3 m? erreichen. Dies ist einer der niedrigsten Werte in der Branche für ein Automotive-Bauteil dieser Größe.
Mit den neuen Power-MOSFETs lassen sich kompaktere Automotive-Steuereinheiten mit höherer Leistung aufbauen.
Die wichtigsten Features der neuen Power MOSFETs im Überblick:
1) 40-prozentige Verbesserung des Gütefaktors (FOM), der dem Produkt aus dem On-Widerstand des Bausteins und der Gate-Ladung entspricht
Der neu entwickelte ANL2-Fertigungsprozess wurde für eine hervorragende Balance aus On-Widerstand und niedriger Gate-Ladung optimiert. On-Widerstand und Gate-Ladung stehen in indirekter Beziehung zueinander, und das Produkt aus beiden Werten dient als Maßstab für die Prozessleistung. Bei den neuen Power-MOSFETs liegt dieser Gütefaktor (FOM) um circa 40 Prozent niedriger als bei den bisherigen, im UMOS4-Prozess entwickelten Produkten des Unternehmens.
2) Kompaktes HSON-8 Gehäuse, nur etwa halb so groß wie das bisherige TO-252 Gehäuse
Neben dem neu entwickelten ANL2-Prozess nutzen vier der neuen Power-MOSFETs das HSON-8 Gehäuse (Abmessungen: 6 x 5,15 mm), das nur etwa halb so groß ist wie bestehende Produkte im TO-252 Gehäuse. Zugleich weist dieses Gehäuse hervorragende thermische Eigenschaften auf. Dank dieser technologischen Fortschritte kann der NP75N04YUK Baustein, ein Power-MOSFET mit einer Durchbruchspannung von 40 V, einen On-Widerstand erreichen, der zu den niedrigsten in der Branche unter allen für den Automotive-Einsatz qualifizierten Bausteinen dieser Größe zählt.
3) Breites Produktangebot für die unterschiedlichsten Anforderungen
Die Palette reicht von Produkten mit einem Nennstrom von 180 A - ideal für Hochstrom-Anwendungen wie elektrische Servolenkungen (EPS) - bis zu Produkten in der 35 A-Klasse, die sich zur Ansteuerung kompakter Magnetschalter eignen und umfasst Gehäuseformen für verschiedenste Bestückungs-Konfigurationen (SMD: TO-263-7P, TO-263, TO-252, HSON-8; THD: TO-220 und TO-262). Zur Abdeckung der unterschiedlichsten Kundenanforderungen sind darüber hinaus Bausteine mit Durchbruchspannungen von 40 und 55 V erhältlich. Natürlich sind alle neuen Power-MOSFETs voll AEC-Q101 qualifiziert und erfüllen die Anforderungen hinsichtlich RoHS.
Aus der Sicht von Renesas Electronics eignen sich diese neuen Produkte bestens zur Konfigurierung kompakter Hochleistungs-Steuersysteme für Automotive-Anwendungen. Das Unternehmen plant, seine Palette an Power-MOSFETs auch weiterhin zu erweitern und zu verbessern.
Weitere Informationen und die wichtigsten Spezifikationen der neuen Produkte sind online auf einem separaten Datenblatt abrufbar.
Hinweis
Sämtliche in dieser Pressemitteilung erwähnten Produkte- und Dienstleistungsnamen sind Warenzeichen oder eingetragene Warenzeichen ihrer entsprechenden Inhaber.
