Renesas Electronics stellt fünf verlustarme P-Kanal-MOSFETs vor. Die Bausteine, wie u. a. der µPA2812T1L, sind für den Einsatz in Ladekontroll-Schaltern für Lithium(Li)-Ionen-Sekundärbatterien sowie in Power-Management-Schaltern zum Ein- und Ausschalten von Netzgeräten optimiert.
Die Nachfrage nach Anwendungen mit geringerem Gesamtstromverbrauch, längeren Laufzeiten im Batteriebetrieb sowie kleineren und schlankeren Gehäusen hat in den letzten Jahren zugenommen. Leistungs-MOSFETs kommen in Ladekontroll-Schaltern für Li-Ionen-Sekundärbatterien sowie in Power-Management Schaltern zum Ein- und Ausschalten von Netzteilen zum Einsatz. Diese Bausteine müssen die beim Betrieb des Gesamtsystems anfallenden großen Betriebsströme verarbeiten können. Um den Leistungsverbrauch des Systems senken zu können, führte dies zu einer gestiegenen Nachfrage nach einem geringeren Arbeitswiderstand (On-Widerstand). Zugleich werden kleinere und schmalere Li-Ionen-Batteriepakete mit immer schlankeren und kompakteren Abmessungen stark nachgefragt. Dies erfordert Power-MOSFETs mit kleineren Gehäusemaßen im Vergleich zum herkömmlichen SOP-8-Format.
Renesas reagiert auf diese Nachfrage und hat einen neuen Fertigungsprozess mit extrem feiner Prozesstechnologie entwickelt. Dies verringert den On-Widerstand auf die Hälfte dessen, was bei früheren MOSFET-Fertigungsprozessen für ähnliche Anwendungen bei gleicher effektiver Fläche möglich war. Die fünf neuen Produkte - wie u. a. der µPA2812T1L - bieten niedrigen On-Widerstand in einem äußerst kompakten Gehäuse.
Die wesentlichen Merkmale der neuen P-Kanal-Power-MOSFETs:
1) Einer der niedrigsten On-Widerstände der Branche ermöglicht eine verbesserte Leistungseffizienz für das System und längere Batterielaufzeiten
Der On-Widerstand der neuen MOSFETs ist nur etwa halb so groß wie bei Vorgängerprodukten von Renesas. Der µPA2812T1L besitzt ein kompaktes, 3,3 mm x 3,3mm großes Gehäuse und erzielt einen On-Widerstand von 4,2 mΩ (typ.). Dieser Wert zählt zu den derzeit niedrigsten der Branche. Dies hält den Energieverbrauch gering, was die Leistungseffizienz des Gesamtsystems verbessert und längere Laufzeiten im Betrieb an einer Li-Ionen-Sekundärbatterie gewährleistet.
Der geringere On-Widerstand ermöglicht es zudem, dass beispielsweise eine Schaltung, in der frühere µPA2810T1L Bausteine von Renesas parallel geschaltet arbeiteten, heute durch eine Schaltung mit nur einem einzigen µPA2812T1L ersetzt werden kann. Dies verringert die Bestückungsfläche für das System.
2) Bestückungsfläche nur ca. zwei Drittel so groß wie bei früheren Produkten bei gleichzeitig vergleichbarer Leistung und kompakterem Systemaufbau
Im Vergleich zum neuen µPA2812T1L boten frühere Produkte von Renesas einen ähnlich niedrigen On-Widerstand, jedoch in etwa dreimal so großen SOP-8-Gehäusen. Die Umstellung auf den µPA2812T1L reduziert die Bestückungsfläche um etwa zwei Drittel, wodurch sich wesentlich kompaktere Stromversorgungssysteme aufbauen lassen.
3) Umfassende Produktpalette deckt einen breiten Betriebsstrombereich ab
Die fünf neuen Produkte, zu denen auch der µPA2812T1L zählt, besitzen typische On-Widerstandswerte zwischen 4,2 und 12 mΩ. Kunden können damit aus zahlreichen Produktversionen diejenige wählen, die in Bezug auf Betriebsstrom, Umgebungsbedingungen usw. am besten ihren Anforderungen entsprechen.
Das kompakte 3,3 mm x 3,3 mm kleine Gehäuse (HVSON(3333)) bietet eine hervorragende Wärmeableitung. Das Gehäuse ist so ausgelegt, dass die Verlustwärme aus dem Inneren des Gehäuses über den offen liegenden Lead-Frame an die Leiterplatte abgegeben werden kann. Da die Wärme am Bauteil geringer ist, als bei Gehäusen wie beispielsweise dem SOP-8 mit einer weniger effizienten Wärmeableitung, lassen sich so Li-Ionen Batteriepakete und Ähnliches in einem schlankeren und kompakteren Aufbau entwickeln.
Renesas plant auch weiterhin, seine Produktpalette von Power-MOSFETs mit zusätzlich verbesserten Funktionsmerkmalen und kompakteren Gehäusen zu erweitern. Entwicklungskits, die Power-MOSFETs mit Ladekontroll-ICs und Ähnlichem kombinieren, bieten Systementwicklern eine breite Auswahl an flexiblen Systemlösungen.
Verfügbarkeit
Muster der neuen MOSFETs von Renesas Electronics werden während des 2. Quartals 2012 erhältlich sein. Die Serienfertigung ist für Ende des zweiten Quartals 2012 geplant (Änderungen bezüglich Verfügbarkeit ohne Vorankündigung vorbehalten).
Hinweis
Alle hier erwähnten Warenzeichen oder eingetragenen Warenzeichen sind Eigentum ihrer entsprechenden Inhaber.
Die Nachfrage nach Anwendungen mit geringerem Gesamtstromverbrauch, längeren Laufzeiten im Batteriebetrieb sowie kleineren und schlankeren Gehäusen hat in den letzten Jahren zugenommen. Leistungs-MOSFETs kommen in Ladekontroll-Schaltern für Li-Ionen-Sekundärbatterien sowie in Power-Management Schaltern zum Ein- und Ausschalten von Netzteilen zum Einsatz. Diese Bausteine müssen die beim Betrieb des Gesamtsystems anfallenden großen Betriebsströme verarbeiten können. Um den Leistungsverbrauch des Systems senken zu können, führte dies zu einer gestiegenen Nachfrage nach einem geringeren Arbeitswiderstand (On-Widerstand). Zugleich werden kleinere und schmalere Li-Ionen-Batteriepakete mit immer schlankeren und kompakteren Abmessungen stark nachgefragt. Dies erfordert Power-MOSFETs mit kleineren Gehäusemaßen im Vergleich zum herkömmlichen SOP-8-Format.
Renesas reagiert auf diese Nachfrage und hat einen neuen Fertigungsprozess mit extrem feiner Prozesstechnologie entwickelt. Dies verringert den On-Widerstand auf die Hälfte dessen, was bei früheren MOSFET-Fertigungsprozessen für ähnliche Anwendungen bei gleicher effektiver Fläche möglich war. Die fünf neuen Produkte - wie u. a. der µPA2812T1L - bieten niedrigen On-Widerstand in einem äußerst kompakten Gehäuse.
Die wesentlichen Merkmale der neuen P-Kanal-Power-MOSFETs:
1) Einer der niedrigsten On-Widerstände der Branche ermöglicht eine verbesserte Leistungseffizienz für das System und längere Batterielaufzeiten
Der On-Widerstand der neuen MOSFETs ist nur etwa halb so groß wie bei Vorgängerprodukten von Renesas. Der µPA2812T1L besitzt ein kompaktes, 3,3 mm x 3,3mm großes Gehäuse und erzielt einen On-Widerstand von 4,2 mΩ (typ.). Dieser Wert zählt zu den derzeit niedrigsten der Branche. Dies hält den Energieverbrauch gering, was die Leistungseffizienz des Gesamtsystems verbessert und längere Laufzeiten im Betrieb an einer Li-Ionen-Sekundärbatterie gewährleistet.
Der geringere On-Widerstand ermöglicht es zudem, dass beispielsweise eine Schaltung, in der frühere µPA2810T1L Bausteine von Renesas parallel geschaltet arbeiteten, heute durch eine Schaltung mit nur einem einzigen µPA2812T1L ersetzt werden kann. Dies verringert die Bestückungsfläche für das System.
2) Bestückungsfläche nur ca. zwei Drittel so groß wie bei früheren Produkten bei gleichzeitig vergleichbarer Leistung und kompakterem Systemaufbau
Im Vergleich zum neuen µPA2812T1L boten frühere Produkte von Renesas einen ähnlich niedrigen On-Widerstand, jedoch in etwa dreimal so großen SOP-8-Gehäusen. Die Umstellung auf den µPA2812T1L reduziert die Bestückungsfläche um etwa zwei Drittel, wodurch sich wesentlich kompaktere Stromversorgungssysteme aufbauen lassen.
3) Umfassende Produktpalette deckt einen breiten Betriebsstrombereich ab
Die fünf neuen Produkte, zu denen auch der µPA2812T1L zählt, besitzen typische On-Widerstandswerte zwischen 4,2 und 12 mΩ. Kunden können damit aus zahlreichen Produktversionen diejenige wählen, die in Bezug auf Betriebsstrom, Umgebungsbedingungen usw. am besten ihren Anforderungen entsprechen.
Das kompakte 3,3 mm x 3,3 mm kleine Gehäuse (HVSON(3333)) bietet eine hervorragende Wärmeableitung. Das Gehäuse ist so ausgelegt, dass die Verlustwärme aus dem Inneren des Gehäuses über den offen liegenden Lead-Frame an die Leiterplatte abgegeben werden kann. Da die Wärme am Bauteil geringer ist, als bei Gehäusen wie beispielsweise dem SOP-8 mit einer weniger effizienten Wärmeableitung, lassen sich so Li-Ionen Batteriepakete und Ähnliches in einem schlankeren und kompakteren Aufbau entwickeln.
Renesas plant auch weiterhin, seine Produktpalette von Power-MOSFETs mit zusätzlich verbesserten Funktionsmerkmalen und kompakteren Gehäusen zu erweitern. Entwicklungskits, die Power-MOSFETs mit Ladekontroll-ICs und Ähnlichem kombinieren, bieten Systementwicklern eine breite Auswahl an flexiblen Systemlösungen.
Verfügbarkeit
Muster der neuen MOSFETs von Renesas Electronics werden während des 2. Quartals 2012 erhältlich sein. Die Serienfertigung ist für Ende des zweiten Quartals 2012 geplant (Änderungen bezüglich Verfügbarkeit ohne Vorankündigung vorbehalten).
Hinweis
Alle hier erwähnten Warenzeichen oder eingetragenen Warenzeichen sind Eigentum ihrer entsprechenden Inhaber.
