Entwickler von Stromversorgungen können nun die Effizienz durch noch geringere Leitungs- und Schaltverluste der beiden neuen MOSFETs weiter erhöhen. Diese neuen Bausteine liefern den besten FOM (figure of merit) Wert für RDS(ON) * COSS, der jeweils 34% bzw. 29% besser als beim derzeit führenden Wettbewerber ist. Die niedrigen Ausgangskapazitäten in Kombination mit niedriger Gate-Ladung reduzieren die MOSFET-Schaltverluste. Diese Bausteine sind im Gehäuse DFN 5x6 erhältlich und wie bei AOS üblich 100%-ig RG und UIS getestet.
"Designs mit hoher Effizienz erfordern exzellente Leistungen der MOSFETs sowohl im geschalteten Zustand als auch während des Schaltens.", betont Stephen Chang, Senior Produkt Marketing Manager bei AOS." AON6270 und AON6280 kommen nicht nur mit sehr niedrigen Widerstandswerten, sondern bieten auch ein optimales COSS, um Entwicklern zur Einhaltung von Normen und Vorschriften zur Energieeffizienz zu verhelfen.
Technische Highlights AON6270
- 75V N-Kanal MOSFET im DFN 5x6 Gehäuse
- Durchgangswiderstandswerte < 3,9m? bei 10V Gate-Spannung
- Ausgangskapazität = 615pF Typ
- gesamte Gate-Ladung (10V) = 60nC Typ
- niedrigster Wert für RDS(ON) * COSS im Markt
Technische Highlights AON6280
- 80V N-Kanal MOSFET im DFN 5x6 Gehäuse
- Durchgangswiderstandswerte < 4,1m? bei 10V Gate-Spannung
- Ausgangskapazität = 592pF Typ
- gesamte Gate-Ladung (10V) = 58nC Typ
- niedrigster Wert für RDS(ON) * COSS im Markt
- niedrigster Wert für RDS(ON) * QG im Markt