AOS stellt den weltweit ersten 45 V N-Kanal MOSFET mit einem extrem niedrigen Durchgangswiderstand von 1,15 mΩ bei 10 V vor. Der AON6152 zeichnet sich durch eine bestmögliche Kombination aus maximalem Wirkungsgrad und höherer Treiberleistung zur Minimierung von Schaltverlusten aus. Dieser neue Baustein eignet sich hervorragend für eine Vielzahl von Applikationen wie z. B. sekundärseitige synchrone Gleichrichtung in AC/DC- und DC/DC-Wandlern sowie Industrie- und Motortreiberanwendungen.
Beim Betrieb als sekundärseitiger synchroner Gleichrichter eines AC/DC- oder DC/DC-Wandlers weist der auf der führenden Prozesstechnologie von AOS basierende AON6152 einen extrem niedrigen Durchgangswiderstand auf. Dies führt zu einer signifikanten Reduzierung der Verlustleistung und einer Erhöhung des Wandlungswirkungsgrades. Mit einer Drain-Source Durchbruchsspannung BVDSS von 45 V und dem niedrigen Durchgangswiderstand von 1,15 mΩ stellt der AON6152 eine optimale Lösung für ein zuverlässigeres Design mit einem höheren Wirkungsgrad bei gleichzeitig besserem Spannungsspielraum dar. Der neue MOSFET ist im kompakten DFN5x6 Leistungsgehäuse erhältlich und zu 100 % Rg- und UIS-getestet.
„Der AON6152 ist der erste Baustein einer neuen Generation von Komponenten für einfachere Designs mit einer effizienteren thermischen Performance und höherer Leistungsdichte. Entwickler können mit dem neuen MOSFET Lösungen entwickeln, welche weniger Abwärme erzeugen und eine bessere Zuverlässigkeit des Systems bieten“, sagt Lei Feng, Marketing Director der MOSFET-Produktlinie bei AOS.
Beim Betrieb als sekundärseitiger synchroner Gleichrichter eines AC/DC- oder DC/DC-Wandlers weist der auf der führenden Prozesstechnologie von AOS basierende AON6152 einen extrem niedrigen Durchgangswiderstand auf. Dies führt zu einer signifikanten Reduzierung der Verlustleistung und einer Erhöhung des Wandlungswirkungsgrades. Mit einer Drain-Source Durchbruchsspannung BVDSS von 45 V und dem niedrigen Durchgangswiderstand von 1,15 mΩ stellt der AON6152 eine optimale Lösung für ein zuverlässigeres Design mit einem höheren Wirkungsgrad bei gleichzeitig besserem Spannungsspielraum dar. Der neue MOSFET ist im kompakten DFN5x6 Leistungsgehäuse erhältlich und zu 100 % Rg- und UIS-getestet.
„Der AON6152 ist der erste Baustein einer neuen Generation von Komponenten für einfachere Designs mit einer effizienteren thermischen Performance und höherer Leistungsdichte. Entwickler können mit dem neuen MOSFET Lösungen entwickeln, welche weniger Abwärme erzeugen und eine bessere Zuverlässigkeit des Systems bieten“, sagt Lei Feng, Marketing Director der MOSFET-Produktlinie bei AOS.
