Höchste Zuverlässigkeit und Sicherheit im Langzeitbetrieb sind die wichtigsten Ziele bei der Entwicklung von eingebettet…
NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ: NXPI) stellte heute eine neue Familie seiner NextPower Live MOSFETs speziell für Power…
Eine hohe Durchbruchspannung von 100 V, geringe RDS(on) Werte von 41 bzw. 27 m?, ein Gateladung von lediglich 72 nC und…
Um 0,1 mm flacher als vergleichbare, in normalen SOT-23-Gehäusen untergebrachte Bausteine sind die vier neuen Low-Voltag…
Elektrische Eigenschaften, die man bislang nur von den deutlich größeren Low-Voltage-PowerMOSFETs im D2PAK (TO-263)-Gehä…
Eine Gate-Ladung von nur 150 nC bei einem extrem niedrigem RDS(on) von 1,8 bzw. 2,4 m? zeichnet die neuen Low-Voltage-Po…
Sehr kleine Footprints zeichnen die sieben von NEC Electronics entwickelten Low-Voltage PowerMOSFETs im 8p-VSOF- bzw. Mi…
Mit 24 besonders robusten PowerMOSFETs von NEC Electronics hat Gleichmann Electronics sein Produktportfolio bei Low Volt…
NEC Electronics’ erste PowerMOSFETs im TO-263-7 Package (Vertrieb: Gleichmann Electronics) zeichnen sich nicht nur durch…
Die deutsche Gleichmann & Co. Electronics GmbH mit Sitz in Frankenthal hat mit sofortiger Wirkung die britische Sunrise…
