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Vishay Siliconix präsentiert den weltweit ersten 190-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit integrierter 190-V-Leistungsdiode mit einer Grundfläche von nur 2 mm x 2 mm und einer Höhe von nur 0,75 mm
Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) präsentiert den weltweit ersten 190-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit integrierter…