Das High-Tech-Beratungs- und Vertriebsunternehmen VAREP3000 GmbH hat die komplette Palette an leistungsfähigen Speicherbausteinen und speicherintensiven Logikprodukten, SRAMs (Static Random Access Memory), DRAMs (Dynamic Random Access Memory), Flash-Speichern sowie Embedded-Memory und Embedded-Logik-Produkten des US-Halbleiterspezialisten Alliance Semiconductor in das Vertriebsprogramm aufgenommen.
Zu den neuesten Produkten gehören u.a. die 8-MB-CMOS Flash EEPROMs der Serie AS29LV800. Diese zu 1M x 8 / 512K x 16 organisierten Flash-Speicher gibt es für den Betrieb an 3,0 V mit Zugriffszeiten von wahlweise 70, 80, 90 oder 120 ns. Besonders erwähnenswert ist, dass die Speicher ausser im TSOP- Gehäuse jetzt auch im 48-Pin-BGA-Package lieferbar sind, ein SO-Gehäuse wird folgen.
Die Low-Power CMOS-SRAMs der bekannten „Intelliwatt“™-Serie gibt es unter der Bezeichnung AS6UA5128/25616 jetzt bis zu einer Speicherkapazität von 4 MB für den Einsatz im industriellen und kommerziellen Temperaturbereich. Ihre Zugriffszeiten sind mit 55ns (2,7V ..3,6V) bzw. 70 ns (2,3V... 2,7 V) spezifiziert. Im aktiven Zustand beträgt die Leistungsaufnahme nur 68 mW (bei 2,7V und 70 ns), im Standby-Modus reduzieren sich diese Werte auf bis zu 28µW @ 2,3V.
Eine weitere Novität sind die CMOS-SRAMs der Serie AS7C33128NTD32/36A bzw. AS33256NTD16/18A in der von Alliance patentierten NTD-(No Turnaround Delay) Technologie für besonders effizienten Bus-Betrieb. Die jeweils zu anderen bekannten Herstellern kompatiblen 4 Mbit-SRAMs sind zu 131.072 Worten x 32 oder x 36 Bit bzw. 262.144 Worten x 16 oder x 18 Bit organisiert. Sie können bis zu 200 MHz (LVTTL/LVCMOS) getaktet werden. Die Zugriffszeiten liegen dabei, abhängig vom Takt, zwischen 3,0 und 5,0 ns.
Zu Alliance Semiconductor Corp.
Die Alliance Semiconductor Corporation ist ein führender, weltweit agierender Lieferant von leistungsfähigen Speicherbausteinen und speicherintensiven Logikprodukten, SRAMs (Static Random Access Memory), DRAMs (Dynamic Random Access Memory), Flash-Speichern sowie Embedded-Memory und Embedded-Logic-Produkten. Die von Alliance entwickelten Halbleiter sind für Netzwerk und Telekommunikations Anwendungen, Instrumente, sowie den Consumer und Computer-Bereich konzipiert. Die Produktion der Bauelemente erfolgt in unabhängigen Fertigungseinrichtungen unter Verwendung modernster CMOS-Prozesse mit Strukturen bis 0,18 µm herab. Über seine Wagniskapital-Dependance Alliance Venture Management, LLC investiert das Unternehmen in fünf Venture-Fonds: Alliance Ventures I, LP konzentriert sich auf Beteiligungen an neu gegründeten Unternehmen des Netzwerk und Kommunikations-Sektors; Alliance Ventures II, LP zielt speziell auf Investitionen in Start-up-Unternehmen des Internet-Bereichs; Alliance Ventures III, LP wendet sich an aufstrebende Unternehmen des Networking und Kommunikations-Bereichs; das Spezialgebiet von Alliance Ventures IV, LP sind Halbleiterunternehmen; Alliance Ventures V, LP schließlich widmet sich speziell den Infrastruktur-Unternehmen. Alliance wurde 1985 gegründet. Weitere Informationen über Alliance gibt es im Internet unter http://www.alsc.com
Zu den neuesten Produkten gehören u.a. die 8-MB-CMOS Flash EEPROMs der Serie AS29LV800. Diese zu 1M x 8 / 512K x 16 organisierten Flash-Speicher gibt es für den Betrieb an 3,0 V mit Zugriffszeiten von wahlweise 70, 80, 90 oder 120 ns. Besonders erwähnenswert ist, dass die Speicher ausser im TSOP- Gehäuse jetzt auch im 48-Pin-BGA-Package lieferbar sind, ein SO-Gehäuse wird folgen.
Die Low-Power CMOS-SRAMs der bekannten „Intelliwatt“™-Serie gibt es unter der Bezeichnung AS6UA5128/25616 jetzt bis zu einer Speicherkapazität von 4 MB für den Einsatz im industriellen und kommerziellen Temperaturbereich. Ihre Zugriffszeiten sind mit 55ns (2,7V ..3,6V) bzw. 70 ns (2,3V... 2,7 V) spezifiziert. Im aktiven Zustand beträgt die Leistungsaufnahme nur 68 mW (bei 2,7V und 70 ns), im Standby-Modus reduzieren sich diese Werte auf bis zu 28µW @ 2,3V.
Eine weitere Novität sind die CMOS-SRAMs der Serie AS7C33128NTD32/36A bzw. AS33256NTD16/18A in der von Alliance patentierten NTD-(No Turnaround Delay) Technologie für besonders effizienten Bus-Betrieb. Die jeweils zu anderen bekannten Herstellern kompatiblen 4 Mbit-SRAMs sind zu 131.072 Worten x 32 oder x 36 Bit bzw. 262.144 Worten x 16 oder x 18 Bit organisiert. Sie können bis zu 200 MHz (LVTTL/LVCMOS) getaktet werden. Die Zugriffszeiten liegen dabei, abhängig vom Takt, zwischen 3,0 und 5,0 ns.
Zu Alliance Semiconductor Corp.
Die Alliance Semiconductor Corporation ist ein führender, weltweit agierender Lieferant von leistungsfähigen Speicherbausteinen und speicherintensiven Logikprodukten, SRAMs (Static Random Access Memory), DRAMs (Dynamic Random Access Memory), Flash-Speichern sowie Embedded-Memory und Embedded-Logic-Produkten. Die von Alliance entwickelten Halbleiter sind für Netzwerk und Telekommunikations Anwendungen, Instrumente, sowie den Consumer und Computer-Bereich konzipiert. Die Produktion der Bauelemente erfolgt in unabhängigen Fertigungseinrichtungen unter Verwendung modernster CMOS-Prozesse mit Strukturen bis 0,18 µm herab. Über seine Wagniskapital-Dependance Alliance Venture Management, LLC investiert das Unternehmen in fünf Venture-Fonds: Alliance Ventures I, LP konzentriert sich auf Beteiligungen an neu gegründeten Unternehmen des Netzwerk und Kommunikations-Sektors; Alliance Ventures II, LP zielt speziell auf Investitionen in Start-up-Unternehmen des Internet-Bereichs; Alliance Ventures III, LP wendet sich an aufstrebende Unternehmen des Networking und Kommunikations-Bereichs; das Spezialgebiet von Alliance Ventures IV, LP sind Halbleiterunternehmen; Alliance Ventures V, LP schließlich widmet sich speziell den Infrastruktur-Unternehmen. Alliance wurde 1985 gegründet. Weitere Informationen über Alliance gibt es im Internet unter http://www.alsc.com
